东发改〔2023〕225号

各镇人民政府（街道办事处）、市府直属各有关单位：

　　《东莞【wǎn】市【shì】促【cù】进半导【dǎo】体及集成电路【lù】产业集聚区发【fā】展若干政策》业经市【shì】人民政府【fǔ】同意，现印发给【gěi】你们，请认真贯彻执行。

东莞市发展和改革局

9-21  

东莞市关于促进半导体及集成电路产业集聚区发展的若干政策

　　为贯彻落实《广东省【shěng】培育半导体及【jí】集成电路战【zhàn】略性新兴产业【yè】集【jí】群行动计划【huá】（2021—2025年）》和《东莞市发展半导体及集成电【diàn】路战略性支柱产业集群行【háng】动计【jì】划（2022—2025年）》的工作要求【qiú】，打【dǎ】造半导体及集成电路产业集【jí】聚发展新【xīn】高【gāo】地，推动【dòng】经济高质量发展，结合我市实际，制定以【yǐ】下政【zhèng】策措施【shī】。

　　本政策所称【chēng】半【bàn】导体及集【jí】成【chéng】电路企业（单位）是指具【jù】有独立法人资格【gé】，实行【háng】单独【dú】核算【suàn】，经营【yíng】场【chǎng】所、工【gōng】商注册地、税务登记及统计关系均在东莞市半导体及【jí】集成电路【lù】产【chǎn】业集聚区内，专门从事半导体及集【jí】成电【diàn】路的设计、制【zhì】造、封测、装备、材料和新型【xíng】应用生【shēng】产及研发经营活动的相关企业（单位）。

　　一、支持企业引进和培育

　　（一）打造特色产业集聚区。以松山湖片区、滨海湾新区、临【lín】深新一【yī】代电【diàn】子信息产业基【jī】地【dì】为核心区域，突出【chū】以应用【yòng】为牵【qiān】引【yǐn】，积极【jí】引进培【péi】育高端芯【xīn】片、先进封装测试【shì】、半导体元器件、半【bàn】导体装备【bèi】生【shēng】产、化合【hé】物【wù】半导体【tǐ】项目，打造集【jí】成电路与芯片集【jí】聚特色发展【zhǎn】高地【dì】。支【zhī】持第【dì】三代半导【dǎo】体、集【jí】成电路设计、先进封测【cè】、半导体装备【bèi】等特色产业园区建设，对于产业特色突出【chū】、服务功能健【jiàn】全、产值增长较快【kuài】的产业园区，经认定给予最高1000万元奖励。

　　（二）支【zhī】持重大战【zhàn】略项目落【luò】户。支持引进重大半导体及【jí】集成电路战略性和【hé】补链强链项目，对半导体【tǐ】及【jí】集成电【diàn】路设计、制造、化【huà】合物半导体、先进封装测试【shì】、半导体装备【bèi】等【děng】关键环节的重大项目引入“一事一议【yì】”支持【chí】，在项目设备投【tóu】入【rù】、用地、能耗、环保排放【fàng】指标、金融等【děng】方面予以重点支持。

　　（三）加【jiā】强企业成长【zhǎng】激励。对半导体及集【jí】成电【diàn】路【lù】设计研发类企业，年【nián】度营业收入首次突【tū】破1亿元【yuán】、3亿元、5亿元、10亿元【yuán】、20亿元的企业，分【fèn】别【bié】给予不超【chāo】过100万元、200万元、300万元、400万元、500万元的一次性【xìng】奖励【lì】。对半导【dǎo】体及集成电路制造、封装测试、化【huà】合物半导体、装备及【jí】材料【liào】企业，年度营业收【shōu】入首次突破3亿元、5亿元【yuán】、10亿元、20亿元、30亿元的，分【fèn】别给予不超【chāo】过100万元【yuán】、200万【wàn】元【yuán】、300万元、400万【wàn】元、500万元的【de】一次性奖励【lì】。每上一个台【tái】阶奖励一次【cì】。

　　（四【sì】）支持产业【yè】链上下【xià】游联动【dòng】发展。支【zhī】持“芯机联【lián】动”，鼓【gǔ】励终端厂商和系【xì】统方案集成商采购本土半导体及集成【chéng】电路【lù】企业自主研发设计【jì】的芯片、模组、装【zhuāng】备【bèi】和【hé】材料。开【kāi】发【fā】产业链供【gòng】应链对接平台，推动【dòng】“链【liàn】主”企业滚动发布【bù】产品（服务）需求清单，收集产【chǎn】业【yè】链企业配套产品（服务）供给【gěi】清单，加强供需对接匹配。强化产业【yè】链上下游协同，支【zhī】持【chí】成【chéng】立东莞【wǎn】市集成【chéng】电路行业协会等社会组织发展【zhǎn】，对【duì】行业【yè】协会等社会组织予以一定资【zī】助，支持其整合【hé】产业【yè】链上下游资源，开展产学研合作、标【biāo】准【zhǔn】制定、决策【cè】咨询、行业【yè】交流等服【fú】务活动，打造半导【dǎo】体【tǐ】及集【jí】成电路创新“生【shēng】态圈”，形成特色聚集生态。

　　二、支持产品研发和应用

　　（五）支持关键技术研发。支持半导体及集成电路企【qǐ】业在高【gāo】端芯片、先进封装测试、化合物半导【dǎo】体等领域开展具有重大创【chuàng】新【xīn】性和【hé】突破性的技术研发【fā】项目，纳入《东莞【wǎn】市重【chóng】大科技项目实施办法（试行）》奖励【lì】范围的，按照【zhào】不超过总【zǒng】投入的25%给【gěi】予【yǔ】最【zuì】高3000万元奖励【lì】。

　　（六）支【zhī】持企【qǐ】业购买设计工具和IP。对半导体及集成电路设计企业【yè】购买EDA设计工具软件【jiàn】的，按照不超过实【shí】际发生费【fèi】用的30%给予资助，其【qí】中购买国产EDA设计工具【jù】软【ruǎn】件【jiàn】的【de】，按【àn】照【zhào】不【bú】超过实际发生费用的50%给予【yǔ】资助，每个企业年度【dù】总额不超过300万元。对企业购买【mǎi】IP开展高端芯片研发，给【gěi】予不超过IP购买实际【jì】支付费用最高【gāo】20%的【de】资助，单个企业【yè】每【měi】年总额不【bú】超过200万元。

　　（七【qī】）支持企业开展【zhǎn】首【shǒu】轮流片验证。对开【kāi】展多项目晶圆【yuán】（MPW）流【liú】片的半导体及集成电路设计企业，按照不超【chāo】过首轮流【liú】片费用（含IP授【shòu】权、光罩【zhào】制作、测【cè】试验证）的60%给予补贴，年【nián】度补【bǔ】贴上限为300万元【yuán】。对首次完成全掩膜【mó】（FULLMASK）工程产品流片的企业，按照不超过首轮流片【piàn】费用的50%给予补【bǔ】贴【tiē】，年度补贴上限为【wéi】500万【wàn】元【yuán】。对填补【bǔ】我市芯片产业链空白【bái】的产品，流片补贴比例上浮不超【chāo】过【guò】10%。

　　（八）支持【chí】公共服【fú】务平【píng】台和产业创新平【píng】台【tái】建设。支【zhī】持高等院【yuàn】校、科研机构和企业联合建设产业公【gōng】共服务平台和产【chǎn】业创新【xīn】平【píng】台【tái】，提供EDA工具【jù】、IP共【gòng】享、设计【jì】服务、先进工艺【yì】流片、测试验证、人才培训等服务【wù】。按照公共服务平台和产【chǎn】业创新平台实际固【gù】定资产【chǎn】投资额不超过30%给予资助，最高资【zī】助3000万元。

　　（九）支持【chí】企【qǐ】业【yè】开展【zhǎn】车规级认证【zhèng】。对产线或产品通【tōng】过【guò】AEC-Q100（集成电路）、AEC-Q101（分立【lì】器件【jiàn】）、AEC-Q200（被动【dòng】组件）可靠度【dù】标准【zhǔn】及ISOTS 16949体系、ISO26262体系等汽车【chē】电子车规级认证的，给予【yǔ】每家企业实际认证费用不超【chāo】过50%、最【zuì】高100万【wàn】元的一次性补贴。

　　三、加大金融支持力度

　　（十）强化产业基金支【zhī】持。面【miàn】向半【bàn】导体及集成电路产业设立【lì】规模不少于100亿元【yuán】的产业基金体系，重点支持全市半导体及【jí】集成电路【lù】重大项目引进及本【běn】地企业新（扩）建，提高【gāo】半导体【tǐ】及集【jí】成电路产业投融资水【shuǐ】平。

　　（十【shí】一【yī】）支持企业拓宽融资渠道。设【shè】立中小微企业融资【zī】风【fēng】险补偿基金，当我【wǒ】市【shì】符【fú】合【hé】条【tiáo】件的【de】新引【yǐn】进或增资扩产半【bàn】导体及集成电路企【qǐ】业贷款出现坏【huài】账时，在补偿限【xiàn】额【é】内【nèi】对融担【dān】机构承担【dān】损失给予最高50%补偿、对银行机构【gòu】承担损失给予最高80%补偿【cháng】。鼓励银行业金融机【jī】构对半导体及【jí】集【jí】成电路企业给【gěi】予信贷倾斜，设立半导体及集成电路【lù】专【zhuān】项贷款【kuǎn】和面向集成电路企业设计金融产品，支持政府性融【róng】资担保机构为【wéi】半导【dǎo】体及集成电路中小【xiǎo】企【qǐ】业贷款提供担保。

　　（十二）支持企业上市和并购。经认【rèn】定的上【shàng】市后备企业【yè】，申请【qǐng】在境内外证券交易【yì】所首次公开发行股票上市【shì】，且申请资料【liào】经正式受理的，给予一【yī】次性【xìng】300万元奖励【lì】，上【shàng】市后首【shǒu】发【fā】融【róng】资奖【jiǎng】励最高限额【é】600万元【yuán】。符【fú】合【hé】条件的上市公司通过兼并【bìng】重组，合并或控【kòng】制已设立的【de】、持续经营的企业，按其【qí】交易金额【é】0.5%进行奖【jiǎng】励，单笔奖励资金不【bú】超过【guò】200万元。单家【jiā】公司累计奖励金额最高500万元。

　　四、支持专业人才引进和培养

　　（十【shí】三）加【jiā】大高端人才引进【jìn】力度。支持引【yǐn】进半导体【tǐ】及集成【chéng】电路【lù】领域【yù】重大【dà】创新团【tuán】队和行业领军【jun1】人【rén】才，符合【hé】条件的人才最高可获得1000万元的购房补贴及35万元【yuán】生活补助，并【bìng】可享受科研、创业、居留和【hé】出入境、落户、住房、医【yī】疗、社保、子女入学、税收等方面的优待。对引进的特殊紧缺人才实行【háng】“一人一【yī】策【cè】”灵活待【dài】遇政策。

　　（十四）加大专业【yè】人【rén】才支持【chí】力【lì】度。针对符合条【tiáo】件的半导体【tǐ】及【jí】集成电路【lù】材料、设计【jì】、先进封【fēng】装测试、装【zhuāng】备及零部件【jiàn】等关键环节企业【yè】，对其【qí】年度在莞扣缴申【shēn】报应纳税工资薪金收【shōu】入超过50万元且担任技术【shù】研发或工程部门的经理、功能主【zhǔ】管、主任工程【chéng】师、资深工程师、高【gāo】级工程师或【huò】其【qí】他相应职务的【de】研发人才，按照其【qí】年度薪酬【chóu】等情况给【gěi】予奖励，每人每年【nián】最高奖励100万元。

　　（十五）加大技能人才支持力度。对【duì】符合条件的【de】半导体及集成【chéng】电【diàn】路制造、封装测试、化合物半导体、装备及材料【liào】企业，支【zhī】持锻造支【zhī】撑【chēng】半导体及【jí】集成电【diàn】路产业高质量发展的技【jì】能人才队【duì】伍。对在【zài】半导体及集成【chéng】电路生产制造【zào】中【zhōng】从事【shì】一【yī】线操【cāo】作及维护并符合申报条【tiáo】件的人员，由企业【yè】自主选拔技术【shù】能手，给予【yǔ】每人每【měi】年最高10000元工作津贴。

　　（十六）加大技【jì】术人才培【péi】养力度【dù】。鼓【gǔ】励【lì】半导体及集成电路企业开展【zhǎn】职业技能【néng】等级认定，经核准，单【dān】个【gè】企业给予最高不超过85万元【yuán】补贴【tiē】。支持驻莞【wǎn】高校、科研【yán】院所与半导体及集成电路企业建立半导【dǎo】体及【jí】集成电路领【lǐng】域人才培养基地。对经认定符合条件【jiàn】的人才【cái】培养基地项目，根据项目【mù】产【chǎn】出【chū】效益情【qíng】况给【gěi】予【yǔ】资助。

　　五、其他事项

　　本【běn】政策由市发展和【hé】改革局负责解释。执行期间如遇国家、省、市有关政策及规定【dìng】调整【zhěng】的，本政策【cè】进行相应调整【zhěng】。本【běn】政策涉及新增奖补【bǔ】资金的，由市、镇按5:5比例共同承担，涉及奖补条款的【de】执【zhí】行范【fàn】围，具体以当年【nián】发布的申请指南为准，与【yǔ】东莞【wǎn】市其他同类政策【cè】不一【yī】致的地方，按就【jiù】高【gāo】、从优、不【bú】重复享【xiǎng】受的原则执行。本政【zhèng】策自印发之【zhī】日【rì】起实施，有效期3年【nián】。